A self-sustained pulsating laser diode in which a region in an active layer
functions as a saturable absorber has at least five and no more than ten
quantum wells, p-type cladding layer flat part with a layer thickness of
at least 300 nm and no greater than 500 nm, and a p-type cladding layer
flat part with a carrier density of at least 1.times.10.sup.17 cm.sup.-3
and no greater than 5.times.10.sup.17 cm.sup.-3. This laser diode achieves
a sufficiently small current distribution compared with the light
distribution in the lateral direction, thereby enabling stable
self-sustained pulsating operation up to a high temperature, which was
difficult to achieve in the past.
Eine Selbst-unterstützte pulsierende Laser Diode, in der eine Region in einer aktiven Schicht arbeitet, da ein Sättigungssauger mindestens fünf und nicht mehr als 10 Quantenbrunnen, Part abgeflachte Stelle der Umhüllungschicht mit einer Schichtstärke von 300 nm mindestens und nicht grösser als 500 nm hat und eine Part abgeflachte Stelle der Umhüllungschicht mit einer Fördermaschinedichte von mindestens 1.times.10.sup.17 cm.sup.-3 und nicht grösseres als 5.times.10.sup.17 cm.sup.-3. Diese Laser Diode erzielt eine genug kleine gegenwärtige Verteilung, die mit der Lichtverteilung in der seitlichen Richtung verglichen wird, dadurch sieermöglicht sieermöglicht beständigem Selbst-unterstütztem pulsierendem Betrieb bis zu einer Hochtemperatur, die schwierig, in der Vergangenheit zu erzielen war.
