The present invention provides a ridge-type semiconductor laser devise
comprising: a lower cladding layer of a first conductivity type, an active
layer, and a first upper cladding layer of a second conductivity type,
which are sequentially stacked on a compound semiconductor substrate of
the first conductivity type; a second upper cladding layer of the second
conductivity type which has a ridge shape and is provided on the first
upper cladding layer; and a contact layer of the second conductivity type
provided on the second upper cladding layer. Current blocking layers are
provided on the first upper cladding layer, alongside the second upper
cladding layer. Respective sections of these current blocking layers that
follow the sides of the second upper cladding layer are of the second
conductivity type, and respective sections of these current blocking
layers that follow the first upper cladding layer are of the first
conductivity type.
De onderhavige uitvinding verstrekt een rand-type halfgeleiderlaser het bestaan uit bedenkt: een lagere bekledingslaag van een eerste geleidingsvermogentype, een actieve laag, en een eerste hogere bekledingslaag van een tweede geleidingsvermogentype, dat opeenvolgend op een substraat van de samenstellingshalfgeleider van het eerste geleidingsvermogentype wordt gestapeld; een tweede hogere bekledingslaag van het tweede geleidingsvermogentype dat heeft een randvorm en op de eerste hogere bekledingslaag verstrekt; en een contactlaag van het tweede geleidingsvermogentype dat op de tweede hogere bekledingslaag wordt verstrekt. De huidige het blokkeren lagen worden verstrekt op de eerste hogere bekledingslaag, naast de tweede hogere bekledingslaag. De respectieve secties deze huidige het blokkeren lagen die de kanten van de tweede hogere bekledingslaag volgen zijn van het tweede geleidingsvermogentype, en de respectieve secties deze huidige het blokkeren lagen die de eerste hogere bekledingslaag volgen zijn van het eerste geleidingsvermogentype.
