An a-C:H ISFET device and manufacturing method thereof. The present
invention prepares a-C:H as the detection membrane of an ISFET by plasma
enhanced low pressure chemical vapor deposition (PE-LPCVD) to obtain an
a-C:H ISFET. The present invention also measures the current-voltage curve
for different pH and temperatures by a current measuring system. The
temperature parameter of the a-C:H ISFET is calculated according to the
relationship between the current-voltage curve and temperature. In
addition, the drift rates of the a-C:H ISFET for different pH and
hysteresis width of the a-C:H ISFET for different pH loops are calculated
by a constant voltage/current circuit and a voltage-time recorder to
measure the gate voltage of the a-C:H ISFET.
Un método del dispositivo y de fabricación de a-C:H ISFET de eso. La actual invención prepara a-C:H como la membrana de la detección de un ISFET por la deposición de vapor químico realzada plasma de la presión baja (PE-LPCVD) para obtener un a-C:H ISFET. La actual invención también mide la curva current-voltage para el diversos pH y temperaturas por un sistema que mide actual. El parámetro de la temperatura del a-C:H ISFET se calcula según la relación entre la curva y la temperatura current-voltage. Además, los índices de la deriva del a-C:H ISFET para el diversos pH y anchura de la histéresis del a-C:H ISFET para diversos lazos del pH son calculados por un circuito constante de voltage/current y un registrador del voltaje-tiempo para medir el voltaje de la puerta del a-C:H ISFET.
