Low switching field magnetic element

   
   

A magnetic element which can switch states using a relatively lower magnetic field. The magnetic element comprises first and second magnetic layers separated by an intermediate layer. The magnetization of the first magnetic layer is fixed in a first direction parallel to the easy axis. The second magnetic layer comprises first and second magnetization vectors which are in opposite directions to create a magnetic boundary therein. The magnetic boundary can be driven out of the second magnetic layer by shifting the boundary along a first or second direction along the easy axis.

Um elemento magnético que possa comutar estados usando um campo magnético relativamente mais baixo. O elemento magnético compreende as camadas primeiramente e em segundo magnéticas separadas por uma camada intermediária. A magnetização da primeira camada magnética é reparada em um primeiro sentido paralelo à linha central fácil. A segunda camada magnética compreende primeiramente e os segundos vetores da magnetização que estão nos sentidos opostos para criar nisso um limite magnético. O limite magnético pode ser dirigido fora da segunda camada magnética deslocando o limite ao longo de um primeiro ou segundo sentido ao longo da linha central fácil.

 
Web www.patentalert.com

< Film bulk acoustic resonator structure and method of making

< Floating gate and fabrication method therefor

> Semiconductor device using ferroelectric film in cell capacitor, and method for fabricating the same

> Non-volatile memory device and method of forming the same

~ 00157