Semiconductor device

   
   

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a first circuit formed on the substrate, and a second circuit connected to the first circuit as an input/output portion thereof and powered by a voltage higher than that for the first circuit, the first circuit including a first and a second field-effect transistor, the first drain region of the first transistor accompanying a first load capacitance, the second drain region of the second transistor accompanying a second load capacitance smaller than the first load capacitance, and the first gate insulation film of the first transistor having an average relative dielectric constant higher than that of the second gate insulation film of the second transistor, thereby realizing a high operation speed.

Μια συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, ένα πρώτο κύκλωμα που διαμορφώνονται στο υπόστρωμα, και ένα δεύτερο κύκλωμα που συνδέεται με το πρώτο κύκλωμα ως μερίδα εισαγωγής/παραγωγής επ' αυτού και ισχύς από μια τάση υψηλότερη από αυτή για το πρώτο κύκλωμα, το πρώτο κύκλωμα συμπεριλαμβανομένου ενός πρώτου και μια δεύτερη field-effect κρυσταλλολυχνία, την πρώτη περιοχή αγωγών της πρώτης κρυσταλλολυχνίας που συνοδεύει μια πρώτη ικανότητα φορτίων, τη δεύτερη περιοχή αγωγών της δεύτερης κρυσταλλολυχνίας που συνοδεύει μια δεύτερη ικανότητα φορτίων μικρότερη από την πρώτη ικανότητα φορτίων, και την πρώτη ταινία μόνωσης πυλών της πρώτης κρυσταλλολυχνίας που έχει μια μέση σχετική διηλεκτρική σταθερά υψηλότερη από αυτή της δεύτερης ταινίας μόνωσης πυλών της δεύτερης κρυσταλλολυχνίας, τχε σuψστρατε, ανδ α σεθονδ θηρθuητ θοννεθτεδ το τχε φηρστ θηρθuητ ας αν ηνπuτ/οuτπuτ πορτηον τχερεοφ ανδ ποωερεδ ψυ α βολταγε χηγχερ τχαν τχατ φορ τχε φηρστ θηρθuητ, τχε φηρστ θηρθuητ ηνθλuδηνγ α φηρστ ανδ α σεθονδ φηελδ-εφφεθτ τρανσηστορ, τχε φηρστ δραην ρεγηον οφ τχε φηρστ τρανσηστορ αθθομπανυηνγ α φηρστ λοαδ θαπαθητανθε, τχε σεθονδ δραην ρεγηον οφ τχε σεθονδ τρανσηστορ αθθομπανυηνγ α σεθονδ λοαδ θαπαθητανθε σμαλλερ τχαν τχε φηρστ λοαδ θαπαθητανθε, ανδ τχε φηρστ γατε ηνσuλατηον φηλμ οφ τχε φηρστ τρανσηστορ χαβηνγ αν αβεραγε ρελατηβε δηελεθτρηθ θονσταντ χηγχερ τχαν τχατ οφ τχε σεθονδ γατε ηνσuλατηον φηλμ οφ τχε σεθονδ τρανσηστορ, τχερεψυ ρεαληζηνγ α χηγχ οπερατηον σπεεδ.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device using ferroelectric film in cell capacitor, and method for fabricating the same

< Non-volatile memory device and method of forming the same

> Silicon capacitive microphone

> Microelectronic capacitor structure with radial current flow

~ 00157