Variable reactor (varactor) with engineered capacitance-voltage characteristics

   
   

In one embodiment, a varactor includes a first node and a second node. The varactor includes: at least one first varactor element including a source, a drain, and a p-type doped gate; at least one second varactor element including a source, a drain, and an n-type doped gate; and at least one third varactor element including a source, a drain, and an intermediately doped gate, the intermediately doped gate having doping characteristics intermediate to doping characteristics of the p-type and n-type gates. The varactor includes one or more wells in a substrate region underlying the first, second, and third varactor elements. The first, second, and third varactor elements are coupled in parallel between the first and second nodes.

In één belichaming, omvat een halfgeleidende diode een eerste knoop en een tweede knoop. De halfgeleidende diode omvat: minstens één eerste halfgeleidende diodeelement met inbegrip van een bron, een afvoerkanaal, en een p-type smeerde poort; minstens één tweede halfgeleidende diodeelement met inbegrip van een bron, een afvoerkanaal, en een n-type smeerde poort; en minstens het element van de één derdehalfgeleidende diode met inbegrip van een bron, een afvoerkanaal, en een intermediately gesmeerde poort, de intermediately gesmeerde poort die het smeren van kenmerkentussenpersoon aan het smeren van kenmerken van p-type en de n-type poorten hebben. De halfgeleidende diode omvat één of meerdere putten in een substraatgebied dat aan de eerste, tweede, en derde halfgeleidende diodeelementen ten grondslag ligt. De eerste, tweede, en derde halfgeleidende diodeelementen zijn gekoppelde tegelijkertijd parallel tussen de eerste en tweede knopen.

 
Web www.patentalert.com

< Silicon capacitive microphone

< Microelectronic capacitor structure with radial current flow

> Semiconductor wafer having discharge structure to substrate

> Area array semiconductor package and 3-dimensional stack thereof

~ 00157