A memory apparatus, which may be of resistive cross point memory (RXPtM)
cell type (one example of which is a magnetic random access memory (MRAM))
includes multiple serial data paths which are merged and may exchange data
as needed by the data input/output (I/O) circuits connected to a serial
I/O port. A plurality of scan path registers are connected by an array of
static random access memory (SRAM) memory units of plural memory cells.
The scan paths and SRAM memory units perform a parallel transfer of data
from scan path registers to and from temporary registers of the SRAM
memory units in order to effect parallel data exchange between the
multiple scan path registers.
Un'apparecchiatura di memoria, che può essere del tipo resistente delle cellule di memoria del punto trasversale (RXPtM) (un esempio di cui è una memoria di accesso casuale magnetica (MRAM)) include i percorsi di dati di serie multipli che sono fusi e possono scambiare i dati come stati necessari dai circuiti dell'ingreso/uscita di dati (I/O) collegati ad un orificio di serie di I/O. Una pluralità di registri del percorso di esplorazione è collegata tramite un allineamento delle unità statiche di memoria di memoria di accesso casuale (SRAM) delle cellule di memoria plurali. I percorsi di esplorazione ed unità di memoria di SRAM effettuano un trasferimento parallelo dei dati dai registri del percorso di esplorazione a e da i registri provvisori delle unità di memoria di SRAM per effettuare lo scambio di dati parallelo fra i registri multipli del percorso di esplorazione.
