A method of operating a substrate processing chamber. In one embodiment the
method includes processing one or more substrates in the substrate
processing chamber and subsequently cleaning the chamber using a dry
cleaning process. This substrate processing and dry cleaning sequence is
then repeated multiple times before chamber is further cleaned by flowing
a cleaning gas into the chamber and forming a plasma within the chamber
from the cleaning gas in an extended cleaning process. During the extended
cleaning process the plasma is maintained within the chamber for a total
of at least 5 minutes before the chamber is reused to process a substrate.
Eine Methode des Laufen lassens eines Substrates, das Raum verarbeitet. In einer Verkörperung schließt die Methode die Verarbeitung von von einem oder mehr Substraten im Substrat ein, das Raum verarbeitet und nachher den Raum mit einem Trockenreinigungprozeß säubert. Diese Substratverarbeitung und Trockenreinigungreihenfolge wird dann mehrfache Zeiten wiederholt, bevor Raum weiter durch ein Reinigung Gas in den Raum fließen und die Formung eines Plasmas innerhalb des Raumes vom Reinigung Gas in einem ausgedehnten Reinigung Prozeß gesäubert wird. Während des ausgedehnten Reinigung Prozesses wird das Plasma innerhalb des Raumes für eine Gesamtmenge von mindestens beibehalten, 5 Minuten bevor der Raum wiederverwendet wird, um ein Substrat zu verarbeiten.
