A memory cell for magnetic random access memory devices based on a magnetic
tunnel junction (MTJ) memory element with a perpendicular orientation of
magnetization in pinned and free magnetic layers, and a tunnel barrier
layer sandwiched between the pinned and free layers. The memory cell can
include the MTJ memory element, a magnetic flux guide in series with
selection devices, such as a bit line, a word line, and a transistor. The
magnetic flux guide can have two electrically conductive magnetic portions
with the MTJ memory element positioned between the magnetic portions. The
MTJ memory element is magnetically isolated from the magnetic flux guide
by thin non-magnetic conductive spacers. The MTJ memory element is
arranged in a vertical space between the intersecting bit and word lines
at their intersection region. The memory cell also includes write and
excitation lines. The write line is parallel to the bit line and the
excitation line is parallel to the word line. The write and excitation
lines also intersect each other and define a corner. The MTJ memory
element is positioned in the corner of the intercepting write and
excitation lines.
Ячейкы памяти для магнитных приспособлений памяти случайного доступа основанных на магнитном элементе памяти соединения тоннеля (MTJ) с перпендикулярной ориентацией замагничивания в после того как я прикалыван и освобождает магнитные слои, и слой барьера тоннеля прослоенный между прикалывать и освобождает слои. Ячейкы памяти может включить элемент памяти MTJ, магнитный направляющий выступ потока в серию с приспособлениями выбора, such as линия бита, линию слова, и транзистор. Магнитный направляющий выступ потока может иметь 2 электрически проводных магнитных части при элемент памяти MTJ расположенный между магнитными частями. Элемент памяти MTJ магнитно изолирован от магнитного направляющего выступа потока тонкими немагнитными проводными прокладками. Элемент памяти MTJ аранжирован в вертикальном пространстве между пересекая бит и линии слова на их зоне пересечения. Ячейкы памяти также вклюает пишет и линии возбуждения. Линия писания параллельна к линии бита и линия возбуждения параллельна к линии слова. Линии писания и возбуждения также пересекают и определяют угол. Элемент памяти MTJ расположен в угол перехватывать пишет и линий возбуждения.
