The invention encompasses methods for cleaning surfaces of wafers or other
semiconductor articles. Oxidizing is performed using an oxidation solution
which is wetted onto the surface. The oxidation solution can include one
or more of: water, ozone, hydrogen chloride, sulfuric acid, or hydrogen
peroxide. A rinsing step removes the oxidation solution and inhibits
further activity. The rinsed surface is thereafter preferably subjected to
a drying step. The surface is exposed to an oxide removal vapor to remove
semiconductor oxide therefrom. The oxide removal vapor can include one or
more of: acids, such as a hydrogen halide, for example hydrogen fluoride
or hydrogen chloride; water; isopropyl alcohol; or ozone. The processes
can use centrifugal processing and spraying actions.
Die Erfindung gibt Methoden für das Säubern der Oberflächen der Oblaten oder anderer Halbleiterartikel um. Das Oxidieren wird mit einer Oxidation Lösung durchgeführt, die auf die Oberfläche naßgemacht wird. Die Oxidation Lösung kann eins oder mehr von mit einschließen: Wasser, Ozon, Wasserstoffchlorverbindung, Schwefelsäure oder Wasserstoffperoxid. Ein ausspülender Schritt entfernt die Oxidation Lösung und hemmt weitere Tätigkeit. Die ausgespülte Oberfläche wird danach vorzugsweise einem trocknenden Schritt unterworfen. Die Oberfläche wird einem Oxidabbaudampf ausgesetzt, um Halbleiteroxid daher zu entfernen. Der Oxidabbaudampf kann eins oder mehr von mit einschließen: Säuren, wie ein Wasserstoffhalogenid, z.B. Wasserstofffluorid oder Wasserstoffchlorverbindung; Wasser; Isopropylalkohol; oder Ozon. Die Prozesse können die Trommel der Zentrifugeverarbeitung und die Sprühtätigkeiten verwenden.
