Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same

   
   

A heterojunction bipolar transistor is fabricated by laminating and emitter layer, a base layer and a collector layer on a top surface of a semiconductor substrate, forming a via hole through the emitter layer, the base layer, the collector layer and the substrate at a specific depth, and providing a heat sink layer made of a metal on a rear surface of the substrate. A surface electrode of the emitter layer and the heat sink layer are connected to each other by a metal wiring line running through within the via hole, thereby improving the heat radiation and reducing the emitter inductance.

Μια διπολική κρυσταλλολυχνία ετεροεπαφής κατασκευάζεται από την τοποθέτηση σε στρώματα και το στρώμα εκπομπών, ένα στρώμα βάσεων και ένα στρώμα συλλεκτών σε μια κορυφαία επιφάνεια ενός υποστρώματος ημιαγωγών, που διαμορφώνει το α μέσω της τρύπας μέσω του στρώματος εκπομπών, του στρώματος βάσεων, του στρώματος συλλεκτών και του υποστρώματος σε ένα συγκεκριμένο βάθος, και που παρέχει ένα στρώμα νεροχυτών θερμότητας φιαγμένο από μέταλλο σε μια οπίσθια επιφάνεια του υποστρώματος. Ένα ηλεκτρόδιο επιφάνειας του στρώματος εκπομπών και το στρώμα νεροχυτών θερμότητας συνδέονται η μια με την άλλη με μια γραμμή καλωδίωσης μετάλλων που τρέχει κατευθείαν μέσα μέσω της τρύπας, με αυτόν τον τρόπο που βελτιώνει την ακτινοβολία θερμότητας και που μειώνει την αυτεπαγωγή εκπομπών.

 
Web www.patentalert.com

< Nanoparticle-based all-optical sensors

< III-nitride light-emitting device with increased light generating capability

> Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging

> Substrate holder, plating apparatus, and plating method

~ 00155