Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

   
   

A ferroelectric memory device includes a microelectronic substrate and a plurality of ferroelectric capacitors on the substrate, arranged as a plurality of rows and columns in respective row and column directions. A plurality of parallel plate lines overlie the ferroelectric capacitors and extend along the row direction, wherein a plate line contacts ferroelectric capacitors in at least two adjacent rows. The plurality of plate lines may include a plurality of local plate lines, and the ferroelectric memory device may further include an insulating layer disposed on the local plate lines and a plurality of main plate lines disposed on the insulating layer and contacting the local plate lines through openings in the insulating layer. In some embodiments, ferroelectric capacitors in adjacent rows share a common upper electrode, and respective ones of the local plate lines are disposed on respective ones of the common upper electrodes. Ferroelectric capacitors in adjacent rows may share a common ferroelectric dielectric region. Related fabrication methods are discussed.

Un dispositivo de memoria ferroelectric incluye un substrato microelectrónico y una pluralidad de condensadores ferroelectric en el substrato, dispuestos como pluralidad de filas y de columnas en direcciones respectivas de la fila y de la columna. Una pluralidad de líneas paralelas de la placa cubre los condensadores ferroelectric y extiende a lo largo de la dirección de la fila, en donde una línea de la placa entra en contacto con los condensadores ferroelectric en por lo menos dos filas adyacentes. La pluralidad de líneas de la placa puede incluir una pluralidad de líneas locales de la placa, y el dispositivo de memoria ferroelectric puede incluir más lejos una capa de aislamiento dispuesta en las líneas locales de la placa y una pluralidad de líneas principales de la placa dispuestas en la capa de aislamiento y entrar en contacto con las líneas de la placa del local con aberturas en la capa de aislamiento. En algunas encarnaciones, los condensadores ferroelectric en filas adyacentes comparten un electrodo superior común, y los respectivos de las líneas locales de la placa se disponen en las respectivas de los electrodos superiores comunes. Los condensadores de Ferroelectric en filas adyacentes pueden compartir una región dieléctrica ferroelectric común. Se discuten los métodos relacionados de la fabricación.

 
Web www.patentalert.com

< Storage capacitor and associated contact-making structure and a method for fabricating the storage capacitor and the contact-making structure

< Support for chromophoric elements

> ESD/EOS protection structure for integrated circuit devices

> III nitride epitaxial substrate, epitaxial substrate for III nitride element, and III nitride element that includes a surface nitride layer formed on the main surface of a sapphire single crystal

~ 00155