ESD/EOS protection structure for integrated circuit devices

   
   

Apparatus and methods forming electrostatic discharge and electrical overstress protection devices for integrated circuits wherein such devices include shared electrical contact between source regions and between drain regions for more efficient dissipation of an electrostatic discharge. The devices further include contact plugs and contact lands which render the fabrication of the devices less sensitive to alignment constraint in the formation of contacts for the device.

Прибор и методы формируя электростатическую разрядку и электрические приспособления предохранения от overstress для интегрированных цепей при котором такие приспособления вклюают, котор делят электрический контакт между зонами источника и между зонами стока для более эффективной диссипации электростатической разрядки. Приспособления более дальнейшие вклюают штепсельные вилки контакта и контактируют земли представляют изготовление приспособлений более менее чувствительной к ограничению по выравнивания в образовании контактов для приспособления.

 
Web www.patentalert.com

< Support for chromophoric elements

< Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

> III nitride epitaxial substrate, epitaxial substrate for III nitride element, and III nitride element that includes a surface nitride layer formed on the main surface of a sapphire single crystal

> High luminosity phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices

~ 00155