The crystal orientation of the main surface of a sapphire single crystal
base material to constitute an epitaxial substrate is inclined from the
<0001> orientation (c-axis) preferably for the <1-100>
orientation (m-axis) by a range within 0.02-0.3 degrees. Then, a surface
nitride layer is formed at the main surface of the base material. Then, a
III nitride underfilm is formed on the main surface of the base material
via the surface nitride layer. The III nitride underfilm includes at least
Al element, and the full width at half maximum at (101-2) reflection in
X-ray rocking curve of the III nitride underfilm is 2000 seconds. The
surface roughness Ra within 5 .mu.m area is 3.5 .ANG..
A orientação de cristal da superfície principal de um material baixo de único cristal do sapphire para constituir uma carcaça epitaxial é inclined da orientação (c-linha central) preferivelmente para a orientação (m-linha central) por uma escala dentro de 0.02-0.3 grau. Então, uma camada de superfície do nitride é dada forma na superfície principal do material baixo. Então, um underfilm do nitride III é dado forma na superfície principal do material baixo através da camada de superfície do nitride. O underfilm do nitride III inclui ao menos o elemento do al, e a largura cheia no meio máximo na reflexão (de 101-2) na curva balançando do raio X do underfilm do nitride III é 2000 segundos. O ra de superfície da aspereza dentro de uma área de 5 mu.m é o ANG. 3.5.
