This invention relates to a chemical vapor deposition process for forming
Zr or Hf oxynitride films suitable for use in electronic applications such
as gate dielectrics. The process comprises: a. delivering a Zr or Hf
containing precursor in gaseous form to a chemical vapor deposition
chamber, and, b. simultaneously delivering an oxygen source and a nitrogen
source to the chamber separately, such that mixing of these sources with
the precursor does not take place prior to delivery to the chamber, and,
c. contacting the resultant reaction mixture with a substrate in said
chamber, said substrate heated to an elevated temperature to effect
deposition of the Zr or Hf oxynitride film, respectively. A silicon
containing precursor may be added simultaneously to the chamber for
forming Zr or Hf silicon oxynitride films.
Deze uitvinding heeft op een proces van het chemische dampdeposito om oxynitride van Zr of van HF films te vormen geschikt voor gebruik in elektronische toepassingen zoals poortdiëlektrica betrekking. Het proces bestaat uit: a. leverend Zr of HF die voorloper in gasachtige vorm bevatten aan een kamer van het chemische dampdeposito, en, b. die gelijktijdig een zuurstofbron en een stikstofbron leveren aan de kamer afzonderlijk, dusdanig dat het mengen zich van deze bronnen met de voorloper niet voorafgaand aan levering aan de kamer, en plaatsvindt, c. contacterend het resulterende reactiemengsel met een substraat in bovengenoemde kamer, bovengenoemd substraat dat aan een opgeheven temperatuur aan effect deposito van de oxynitride van Zr of van HF film wordt verwarmd, respectievelijk. Een silicium dat voorloper bevat kan gelijktijdig aan de kamer worden toegevoegd voor het siliciumoxynitride het vormen van van Zr of van HF films.
