A thermal processing system (1) includes a reaction vessel (2) capable of
forming a silicon nitride film on semiconductor wafers (10) through
interaction between hexachlorodisilane and ammonia, and an exhaust pipe
(16) connected to the reaction vessel (2). The reaction vessel 2 is heated
at a temperature in the range of 500 to 900.degree. C. and the exhaust
pipe (16) is heated at 100.degree. C. before disassembling and cleaning
the exhaust pipe 16. Ammonia is supplied through a process gas supply pipe
(13) into the reaction vessel (2), and the ammonia is discharged from the
reaction vessel (2) into the exhaust pipe (16).
Термально системы обработки (1) вклюает реактивный сосуд (2) способный формировать пленку нитрида кремния на вафлях полупроводника (10) через взаимодействие между hexachlorodisilane и амиаком, и трубу вытыхания (16) соединенную к реактивному сосуду (2). Реактивный сосуд 2 нагрет на температуре в ряде 500 к 900.degree. C и труба вытыхания (16) нагреты на 100.degree. C перед демонтировать и очищать трубу вытыхания 16. Амиак поставлен до отростчатая труба обеспечения газовой смесью (13) в реактивный сосуд (2), и амиак разряжен от реактивного сосуда (2) в трубу вытыхания (16).
