A nonvolatile semiconductor memory device executing an automatic read
operation at the time of a power-up is disclosed. For the automatic read
operation, it starts to generate a wordline voltage when a power supply
voltage at a power-up time reaches a first voltage. When the wordline
voltage is charged up to a desired voltage level, a read operation begins
automatically.
Un dispositivo non volatile di memoria a semiconduttore che esegue un'operazione di lettura automatica ai tempi di un ciclo iniziale è rilevato. Per l'operazione di lettura automatica, comincia generare una tensione di wordline quando una tensione del gruppo di alimentazione ad un tempo inizio ciclo raggiunge una prima tensione. Quando la tensione di wordline è caricata fino ad un livello di tensione voluto, un'operazione di lettura comincia automaticamente.
