A magnetoresistive element includes a multilayer film configuration
including: a tunnel insulation layer; and a pair of magnetic layers that
are laminated with the tunnel insulation layer interposed therebetween. A
resistance value of the magnetoresistive element varies with a relative
angle between magnetic orientations of both of the magnetic layers, and at
least one of the magnetic layers includes a magnetic film having a thermal
expansion coefficient not greater than a value obtained by adding
2.times.10.sup.-6 /K to a thermal expansion coefficient of the tunnel
insulation layer. The thus configured magnetoresistive element can exert
excellent thermal stability. The use of such a magnetoresistive element
can realize a magnetic head, a magnetic memory element and a magnetic
recording apparatus with excellent thermal stability.
Eine Feldplatte schließt eine mehrschichtige Filmkonfiguration einschließlich ein: eine Tunnelisolierung Schicht; und ein Paar magnetische Schichten, die mit der vermittelten Tunnelisolierung Schicht lamelliert werden, therebetween. Ein Widerstand Wert der Feldplatte schwankt mit einem relativen Winkel zwischen magnetische Lagebestimmungen von beiden der magnetischen Schichten, und eine mindestens der magnetischen Schichten schließt einen magnetischen Film mit ein, der einen thermische Expansion Koeffizienten hat, der als ein Wert nicht grösser ist, der indem es 2.times.10.sup.-6 /K einem thermische Expansion Koeffizienten der Tunnelisolierung Schicht erhalten wird, hinzufügt. Die folglich zusammengebaute Feldplatte kann ausgezeichnete Wärmebeständigkeit anwenden. Der Gebrauch von solch einer Feldplatte kann einen magnetischen Kopf, ein magnetisches Gedächtniselement und einen magnetischen Aufnahmeapparat mit ausgezeichneter Wärmebeständigkeit verwirklichen.
