A heterostructure semiconductor device that includes a composite layer
between an active layer and a gate. The composite layer includes a strain
matching layer and a barrier layer. The strain matching layer reduces the
strain between the barrier layer and the active layer. The device can
incorporate various additional layers as well as gate and/or contact
configurations to obtain desired device performance characteristics.
Прибора на полупроводниках гетероструктуры вклюает составной слой между активно слоем и стробом. Составной слой вклюает слой напряжения сопрягая и слой барьера. Слой напряжения сопрягая уменьшает напряжение между слоем барьера и активно слоем. Приспособление может включать различные дополнительные слои также,как конфигурации строба and/or контакта для того чтобы получить заданные эксплуатационные характеристики приспособления.
