Heterostructure semiconductor device

   
   

A heterostructure semiconductor device that includes a composite layer between an active layer and a gate. The composite layer includes a strain matching layer and a barrier layer. The strain matching layer reduces the strain between the barrier layer and the active layer. The device can incorporate various additional layers as well as gate and/or contact configurations to obtain desired device performance characteristics.

Прибора на полупроводниках гетероструктуры вклюает составной слой между активно слоем и стробом. Составной слой вклюает слой напряжения сопрягая и слой барьера. Слой напряжения сопрягая уменьшает напряжение между слоем барьера и активно слоем. Приспособление может включать различные дополнительные слои также,как конфигурации строба and/or контакта для того чтобы получить заданные эксплуатационные характеристики приспособления.

 
Web www.patentalert.com

< Light-emitting device comprising a gallium-nitride-group compound-semiconductor

< Dynamic semiconductor memory device

> Dual gate logic device

> Mask for correcting optical proximity effect

~ 00155