A mask corrects for an optical proximity effect (OPE). A dummy pattern
having a phase-edge effect is formed on a mask substrate. The phase-edge
effect reduces the intensity of light boundary of two transmitting regions
from through transmitted light has a phase difference. A pattern can then
be formed in a photolithographic process using the phase-edge effect. A
difference between "isolated" and "dense" patterns formed on a wafer can
be reduced by forming a dummy pattern in a isolated pattern region of the
mask and making the diffraction pattern of the isolated pattern the same
as that of the dense pattern, thereby improving the total focus margin.
Because the intensity of light is reduced at the boundary between a first
region in which the phase of the transmitted light is 0.degree. and a
second region in which the phase of the transmitted light is 180.degree.,
for example, a photoresist layer is not photosensitized.
Uma máscara corrige para um efeito ótico da proximidade (OPE). Um teste padrão dummy que tem um efeito da fase-borda é dado forma em uma carcaça da máscara. O efeito da fase-borda reduz a intensidade de um limite claro de duas regiões transmissoras da luz transmitida direta tem uma diferença de fase. Um teste padrão pode então ser dado forma em um processo photolithographic usando o efeito da fase-borda. Uma diferença entre "testes padrões isolados" e "densos" deu forma em um wafer pode ser reduzida dando forma a um teste padrão dummy em uma região isolada do teste padrão da máscara e fazendo ao teste padrão de diffraction do teste padrão isolado o mesmo que aquele do teste padrão denso, desse modo melhorando a margem total do foco. Porque a intensidade da luz é reduzida no limite entre uma primeira região em que a fase da luz transmitida está 0.degree. e uma segunda região em que a fase da luz transmitida está 180.degree., para o exemplo, uma camada de photoresist não é photosensitized.
