Semiconductor integrated circuit device

   
   

In a semiconductor integrated circuit device, an integrated circuit portion is provided on a surface of a P-type silicon substrate and in a multilayer interconnection layer. The semiconductor integrated circuit device also includes a temperature sensor portion. At the higher level than the multilayer interconnection layer, a sheet member formed of vanadium oxide is provided. The sheet member and a resistor are connected in series between a ground potential wiring and a power-supply potential wiring, and an output terminal is connected to a connection point between the sheet member and the resistor.

In un dispositivo del circuito integrato a semiconduttore, una parte del circuito integrato è fornita su una superficie di un P-tipo substrato del silicone ed in uno strato a più strati di interconnessione. Il dispositivo del circuito integrato a semiconduttore inoltre include una parte del sensore di temperatura. Al livello elevato che lo strato a più strati di interconnessione, un membro del foglio formato dell'ossido del vanadio è fornito. Il membro del foglio e un resistore sono collegati in serie fra i collegamenti potenziali al suolo ed alimentazione-fornisca i collegamenti potenziali e un terminale di uscita è collegato ad un punto del collegamento fra il membro del foglio ed il resistore.

 
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