An integrated circuit includes a heterojunction thyristor device having an
anode terminal, a cathode terminal, a first injector terminal operably
coupled to a first quantum well channel disposed between the anode
terminal and the cathode terminal, and a second injector terminal operably
coupled to a second quantum well channel disposed between the anode
terminal and the cathode terminal. Bias elements operate the
heterojunction thyristor device in a mode that provides substantially
linear voltage gain for electrical signals supplied to at least one of the
first and second injector terminals for output to at least one output
node. Preferably, the bias elements include a first DC current source
operably coupled to an n-type modulation doped quantum well structure, a
second DC current source operably coupled to a p-type modulation doped
quantum well structure, a first bias resistance operably coupled between a
high voltage supply and the anode terminal, and a second bias resistance
operably coupled between the cathode terminal and a low voltage supply.
The bias elements provide a current passing from the anode terminal to the
cathode terminal that is below a characteristic hold current for the
heterojunction thyristor device to thereby inhibit switching of the
heterojunction thyristor device. The DC current provided by the DC current
sources controls the amount of voltage gain provided by the heterojunction
thyristor device.
Un circuit intégré inclut un dispositif de thyristor d'hétérojonction ayant une borne d'anode, un terminal cathodique, une première borne d'injecteur operably couplée à un canal bon du premier quantum disposé entre la borne d'anode et le terminal cathodique, et une deuxième borne d'injecteur operably couplée à un canal bon du deuxième quantum disposé entre la borne d'anode et le terminal cathodique. Les éléments polarisés actionnent le dispositif de thyristor d'hétérojonction en mode qui fournit le gain essentiellement linéaire de tension pour les signaux électriques fournis au moins à une des premières et deuxièmes bornes d'injecteur pour le rendement au moins à un noeud produit. De préférence, les éléments polarisés incluent une première source courante de C.C operably couplés à un n-type structure de puits de quantum enduite par modulation, une deuxième source courante de C.C operably couplée à un p-type structure de puits de quantum enduite par modulation, une première résistance polarisée operably couplée entre un approvisionnement à haute tension et la borne d'anode, et une deuxième résistance polarisée operably couplés entre le terminal cathodique et un approvisionnement de basse tension. Les éléments polarisés fournissent un dépassement courant de la borne d'anode au terminal cathodique qui est au-dessous d'un courant caractéristique de prise pour que le dispositif de thyristor d'hétérojonction empêche de ce fait la commutation du dispositif de thyristor d'hétérojonction. Le courant de C.C a fourni par les commandes courantes de sources de C.C que la quantité de gain de tension a fournies par le dispositif de thyristor d'hétérojonction.