A method is disclosed for evaluating isolated and aperiodic structure on a
semiconductor sample. A probe beam from a coherent laser source is focused
onto the structure in a manner to create a spread of angles incidence. The
reflected light is monitored with an array detector. The intensity or
polarization state of the reflected beam as a function of radial position
within the beam is measured. Each measurement includes both specularly
reflected light as well as light that has been scattered from the
aperiodic structure into that detection position. The resulting output is
evaluated using an aperiodic analysis to determine the geometry of the
structure.
Un metodo è rilevato per la struttura dell'isolata di ed aperiodica di valutazione su un campione a semiconduttore. Un fascio della sonda da una fonte di laser coerente è messo a fuoco sulla struttura in un modo per generare una diffusione dell'incidenza di angoli. La luce riflessa è controllata con un rivelatore di allineamento. L'intensità o la polarizzazione dichiara del fascio riflesso in funzione della posizione radiale all'interno del fascio è misurata. Ogni misura include entrambi luce bene specularly riflessa quanto la luce che è stata sparsa dalla struttura aperiodica in quella posizione di rilevazione. L'uscita risultante è valutata usando un'analisi aperiodica per determinare la geometria della struttura.
