Semiconductor polysilicon component and method of manufacture thereof

   
   

On a transparent substrate, by use of, for instance, vapor deposition, an Al film is formed. Subsequently, with a DC-bias applied on a surface of the Al film, a first zinc oxide thin film is formed by use of a sputtering method. On a surface of the first zinc oxide thin film, according to an atmospheric MO-CVD method, a second zinc oxide thin film is formed. When the second zinc oxide thin film deposited by use of an MO-CVD method is formed on the first zinc oxide thin film having a-axis orientation, the second zinc oxide thin film becomes to have the a-axis orientation. Since the Al thin film, owing to heat during the deposition by use of the MO-CVD method, is absorbed in the first zinc oxide thin film, the transparency is improved. As a result, a sample having a ZnO/ZnO/Al/glass structure becomes high in the transparency as a whole.

En un substrato transparente, por medio de, por ejemplo, la deposición del vapor, se forma una película del al. Posteriormente, con un C.C.-DIAGONAL aplicado en una superficie de la película del al, una película fina del primer óxido del cinc se forma por medio de un método de la farfulla. En una superficie de la película fina del primer óxido del cinc, según un método atmosférico del MO-CVD, se forma una película fina del segundo óxido del cinc. Cuando la película fina del segundo óxido del cinc depositada por medio de un método del MO-CVD se forma en la película fina del primer óxido del cinc que tiene orientación del uno-eje, la película fina del segundo óxido del cinc se convierte para tener la orientación del uno-eje. Desde la película fina del al, debido a calor durante la deposición por medio del método del MO-CVD, se absorbe en la película fina del primer óxido del cinc, la transparencia se mejora. Consecuentemente, una muestra que tiene una estructura de ZnO/ZnO/Al/glass llega a ser alta en la transparencia en su totalidad.

 
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