In a mechanochemical polishing apparatus, a SiC wafer is held on a wafer
holding table. The surface of the wafer to be polished is pressed against
a polishing cloth applied to a polishing platen with a predetermined
processing pressure. The wafer holding table and polishing platen are then
rotated to perform polishing with chemical liquid dropped on the polishing
cloth. The chemical liquid includes chromium (III) oxide as abrasive
grains and hydrogen peroxide water (oxidizing agent) for improving
polishing efficiency.
Σε μια mechanochemical γυαλίζοντας συσκευή, μια γκοφρέτα SiC κρατιέται σε έναν πίνακα εκμετάλλευσης γκοφρετών. Η επιφάνεια της γκοφρέτας που γυαλίζεται πιέζεται ενάντια σε ένα γυαλίζοντας ύφασμα που εφαρμόζεται σε μια γυαλίζοντας πλάκα στερέωσης με μια προκαθορισμένη πίεση επεξεργασίας. Ο πίνακας εκμετάλλευσης γκοφρετών και η γυαλίζοντας πλάκα στερέωσης περιστρέφονται έπειτα για να εκτελέσουν τη στίλβωση με το χημικό υγρό που πέφτουν στο γυαλίζοντας ύφασμα. Το χημικό υγρό περιλαμβάνει ΙΙΙ) οξείδιο χρωμίου (ως λειαντικά σιτάρια και ύδωρ υπεροξειδίου υδρογόνου (φορέας οξείδωσης) για τη βελτίωση της αποδοτικότητας στίλβωσης.
