A nitride semiconductor device includes a GaN substrate having a
single-crystal GaN layer at least on its surface and plurality of
device-forming layers made of nitride semiconductor. The device-forming
layer contacting the GaN substrate has a coefficient of thermal expansion
smaller than that of GaN, so that a compressive strain is applied to the
device-forming layer. This result in prevention of crack forming in the
device-forming layers, and a lifetime characteristics of the nitride
semiconductor device is improved.
Un dispositivo a semiconduttore del nitruro include un substrato di GaN che ha uno strato di GaN del singolo-cristallo almeno sulla relative superficie e pluralità di strati dispositivo-formanti fatti del semiconduttore del nitruro. Lo strato dispositivo-formante che si mette in contatto con il substrato di GaN ha un coefficente di espansione termica più piccolo di quello di GaN, di modo che uno sforzo compressivo è applicato allo strato dispositivo-formante. Questo risultato nella prevenzione della crepa che forma negli strati dispositivo-formanti e le caratteristiche di corso della vita del dispositivo a semiconduttore del nitruro è migliorato.
