Refresh controller and address remapping circuit and method for dual mode full/reduced density DRAMs

   
   

A dual mode, full density/half density SDRAM includes a refresh controller specifically adapted to refresh memory cells of the SDRAM in the half density mode at a rate that is significantly slower than the rate at which the memory cells are refreshed in the full density mode. In the full density mode, the refresh controller increments a counter at a rate that is half the rate the counter is incremented in the full density mode. A refresh trigger pulse, which initiates the refresh of the memory cells, is generated when the counter has incremented to one of a first counter stage in the full density mode and a counter stage two stages beyond the first counter stage in the half density mode. Circuitry is also provided for ignoring some auto-refresh commands applied to the SDRAM in the half density mode so that the memory cells are also refreshed less frequently in the auto-refresh mode. The SDRAM also includes circuitry for remapping one of the row address bits for use as a column address bit in the half density mode so that the SDRAM can interface with system adapted for conventional dual mode SDRAMs.

Ein Doppelmodus, volle density/half Dichte SDRAM schließt einen erneuernsteuerpult mit ein, der spezifisch angepaßt wird, um Speicherzellen des SDRAM im halben Dichtemodus mit einer Rate zu erneuern, die erheblich langsamer als die Rate ist, an der die Speicherzellen im vollen Dichtemodus erneuert werden. Im vollen Dichtemodus wird die erneuernsteuerpultstufensprünge ein Kostenzähler mit einer Rate, die Hälfte die Rate der Kostenzähler ist, im vollen Dichtemodus erhöht. Ein erneuerntriggerimpuls, der erneuern der Speicherzellen einleitet, wird erzeugt, wenn der Kostenzähler bis einen eines ersten Gegenstadiums in den voller Dichtemodus- und Gegenstadiumszwei Stadien über dem ersten Gegenstadium im halben Dichtemodus hinaus erhöht hat. Schaltkreis wird auch für das Ignorieren einiges Automobil-erneuern die Befehle zur Verfügung gestellt, die am SDRAM im halben Dichtemodus angewendet werden, damit den Speicherzellen auch kleiner häufig im Automobil-erneuern Modus erneuert werden. Das SDRAM schließt auch Schaltkreis für remapping eine der Reihe Adresse Spitzen für Gebrauch als Spaltenadresse gebissen im halben Dichtemodus mit ein, damit das SDRAM an das System anschließen kann, das für herkömmlichen Doppelmodus SDRAMs angepaßt wird.

 
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