Tunable resonant cavity based on the field effect in semiconductors

   
   

The index of refraction of waveguide structures can be varied by altering carrier concentration. The waveguides preferably comprise semiconductors like silicon that are substantially optically transmissive at certain wavelengths. Variation of the carrier density in these semiconductors may be effectuated by inducing an electric field within the semiconductor for example by apply a voltage to electrodes associated with the semiconductor. Variable control of the index of refraction may be used to implement a variety of functionalities including, but not limited to, tunable waveguide gratings and resonant cavities, switchable couplers, modulators, and optical switches.

De index van breking van golfgeleiderstructuren kan worden gevarieerd door dragerconcentratie te veranderen. De golfgeleiders bestaan bij voorkeur uit halfgeleiders zoals silicium die wezenlijk optisch transmissive bij bepaalde golflengten zijn. De variatie met de dragerdichtheid in deze halfgeleiders kan worden bewerkstelligd door een elektrisch veld binnen de halfgeleider te veroorzaken toepast bijvoorbeeld langs een voltage op elektroden verbonden aan de halfgeleider. De veranderlijke controle van de index van breking kan worden gebruikt om een verscheidenheid van functionaliteit met inbegrip van uit te voeren, maar tot, melodieuze golfgeleidergratings en resonerende holten, verwisselbare koppelingen, modulators, en optische schakelaars worden beperkt.

 
Web www.patentalert.com

< Chiral fiber grating

< Athermal, optical-fiber device comprising an integrated component

> Micro-electrodes for electro-optic control of optical waveguides

> Method of making sequential coupler arrangements and resulting devices

~ 00153