A plasma-resistant member for a semiconductor manufacturing apparatus,
which can reduce the contamination level on a semiconductor wafer. The
contents of Fe, Ni, Cr and Cu are made lower than 1.0 ppm respectively
within a depth of at least 10 .mu.m from surface in a plasma-resistant
member.
Un membre plasma-résistant pour un appareillage de fabrication de semi-conducteur, qui peut réduire le niveau de contamination sur une gaufrette de semi-conducteur. Le contenu du Fe, du Ni, du Cr et du Cu est fait plus humblement que 1.0 page par minute respectivement dans une profondeur au moins du mu.m 10 à partir de la surface dans un membre plasma-résistant.
