An electrically-modifiable, non-volatile, semiconductor memory comprising a
plurality of user memory locations which can be addressed individually
from outside the memory in order to read and to modify the data held
therein is characterized in that, for each user memory location, there is
a corresponding pair of physical memory locations in the memory, which
assume, alternatively, the functions of an active memory location and of a
non-active memory location, the active memory location containing a
previously-written datum and the non-active memory location being
available for the writing of a new datum to replace the previously-written
datum, so that, upon a request to replace the previous datum with the new
datum, the previous datum is kept in the memory until the new datum has
been written.
Une mémoire à semiconducteurs électrique-modifiable, non-volatile, comportant une pluralité des endroits de mémoire d'utilisateur qui peuvent être adressés individuellement de l'extérieur de la mémoire afin de lire et modifier les données contenues là-dedans est caractérisée dans celle, pour chaque endroit de mémoire d'utilisateur, il y a une paire correspondante d'endroits de mémoire physiques dans la mémoire, qui supposent, alternativement, les fonctions d'un endroit de mémoire actif et d'un endroit de mémoire inactif, de l'endroit de mémoire actif contenant des informations précédent-écrites et de l'endroit de mémoire inactif étant disponible pour l'écriture de nouvelles informations pour remplacer les informations précédent-écrites, de sorte que, sur une demande de remplacer les informations précédentes avec les nouvelles informations, les informations précédentes sont maintenues dans la mémoire jusqu'à ce que les nouvelles informations aient été écrites.
