In a group III nitride compound semiconductor light-emitting device, a
light-emitting layer having a portion where an InGaN layer is interposed
between AlGaN layers on both sides thereof is employed. By controlling the
thickness, growth rate and growth temperature of InGaN layer which is a
well layer and the thickness of AlGaN layer which is a barrier layer so
that they are optimized, the output of the light-emitting device is
enhanced.
Σε μια ομάδα ΙΙΙ εκπέμπουσα φως συσκευή ημιαγωγών νιτριδίων η σύνθετη, ένα εκπέμπον φως στρώμα που έχει μια μερίδα όπου ένα στρώμα InGaN παρεμβάλλεται μεταξύ των στρωμάτων AlGaN και στις δύο πλευρές υιοθετείται επ' αυτού. _ με ελέγχω ο πάχος, αύξησηποσοστόκαι αύξηση θερμοκρασία ΗνΓαΝ στρώμα που είμαι ένας φρεάτιο στρώμα και ο πάχος ΑλΓαΝ στρώμα που είμαι ένας εμπόδιοστρώμαέτσι ώστε αυτός είμαι βελτιστοποιώ, ο παραγωγή ο εκπέμπων φως συσκευή είμαι ενισχύω.
