An embodiment of the invention is a method of manufacturing a semiconductor
wafer 2 where a layer of undoped silicon glass 15 is formed over the
front-end structure 3. Another embodiment of the present invention is an
integrated circuit 2 having a back-end structure 4 in which the dielectric
layer 15 contains undoped silicon glass.
Μια ενσωμάτωση της εφεύρεσης είναι μια μέθοδος μια γκοφρέτα 2 ημιαγωγών όπου ένα στρώμα του undoped γυαλιού 15 πυριτίου διαμορφώνεται πέρα από την προηγούμενη δομή 3. Μια άλλη ενσωμάτωση της παρούσας εφεύρεσης είναι ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα 2 που έχει μια δομή 4 οπίσθιου μέρους στην οποία το διηλεκτρικό στρώμα 15 περιέχει το undoped γυαλί πυριτίου.
