Selective oxidation for semiconductor device fabrication

   
   

An embodiment of the instant invention is a method of oxidizing a first feature (feature 108 and/or feature 104 of FIG. 1 and feature 314 of FIG. 3) while leaving a second feature substantially unoxidized (features 110 and 112 of FIG. 1 and features 310 and 312 of FIG. 3), the method comprised of subjecting the first and second features to an oxygen-containing gas and a separate hydrogen-containing gas. Preferably, the oxygen-containing gas is comprised of gas selected from the group consisting of O.sub.2, N.sub.2 O, CO.sub.2, H.sub.2 O, and any combination thereof, and the hydrogen-containing gas is comprised of H.sub.2. The first feature is, preferably, comprised of polycrystalline silicon, silicon oxide, or a dielectric material, and the second feature is, preferably, comprised of tungsten.

Un metodo di realizzazione dell'invenzione istantanea è un metodo di ossidazione della prima caratteristica (caratteristica 108 e/o caratteristica 104 della fig. 1 e caratteristica 314 del FIG. 3) mentre lasciando una seconda caratteristica sostanzialmente non ossidata (caratteristiche 110 e 112 della fig. 1 e caratterizza 310 e 312 della fig. 3), il metodo hanno contenuto soggetto delle prime e seconde caratteristiche ad un gas ossigeno-contenente e ad un gas idrogeno-contenente separato. Preferibilmente, il gas ossigeno-contenente è contenuto gas scelto dal gruppo che consiste di O.sub.2, di N.sub.2 O, di CO.sub.2, di H.sub.2 O e di tutta la combinazione di ciò ed il gas idrogeno-contenente è contenuto H.sub.2. La prima caratteristica, è contenuta preferibilmente silicone policristallino, l'ossido del silicone, o un materiale dielettrico e la seconda caratteristica, è contenuta preferibilmente tungsteno.

 
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