Semiconductor device having self-aligned contact pads and method for manufacturing the same

   
   

A semiconductor device having self-aligned contact pads and a method for manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a semiconductor substrate and an isolation layer formed on the semiconductor substrate. The semiconductor substrate defines a plurality of active regions that each have a major axis and a minor axis. A plurality of gates are formed to cross the plurality of active regions and extend in the direction of the minor axis. First and second source/drain regions are formed in active regions at either side of each of the gates. First and second self-aligned contact pads (SACs) are formed to contact the top surfaces of the first and second source/drain regions, respectively.

Обеспечены прибора на полупроводниках собственн-vyravniva4 пусковые площадки контакта и метод для изготовлять эти же. Прибора на полупроводниках вклюает субстрат полупроводника и слой изоляции сформированные на субстрате полупроводника. Субстрат полупроводника определяет множественность активно зон каждое имеет главную ось и небольшую ось. Множественность стробов сформирована для того чтобы пересечь множественность активно зон и удлинить в направление небольшой оси. Во первых и вторые зоны source/drain сформируйте в активно зонах на любой стороне каждого из стробов. Во первых и во-вторых собственн-vyrovn4nnye пусковые площадки контакта (sACs) сформированы для того чтобы контактировать верхние поверхности первых и вторых зон source/drain, соответственно.

 
Web www.patentalert.com

< Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer

< Active matrix organic light emitting device and method for fabricating the same

> Nonvolatle memory

> Methods to form dual metal gates by incorporating metals and their conductive oxides

~ 00152