Method for evaluating concentration of metallic impurities in silicon wafer

   
   

A method for evaluating concentration of metal impurities contained in a silicon wafer, which comprises dropping concentrated sulfuric acid onto a surface of the silicon wafer to extract metal impurities solid-solubilized in the inside of the silicon wafer into the concentrated sulfuric acid, and chemically analyzing metal impurities contained in the concentrated sulfuric acid. The problem imposed on high sensitivity evaluation of metals contained in silicon bulk is, in addition to increase of sensitivity of analysis apparatus itself, how to extract metals contained in a silicon wafer to a surface and recover them. This problem can be solved by the method of the present invention.

Eine Methode für das Auswerten von von Konzentration der Metallverunreinigungen, die in einer Silikonoblate enthalten wurden, die fallende starke Schwefelsäure auf eine Oberfläche der Silikonoblate enthält, um die Metallverunreinigungen zu extrahieren, die im Innere der Silikonoblate in die starke Schwefelsäure fest-solid-solubilized sind, und Metallverunreinigungen chemisch analysieren enthielt in der starken Schwefelsäure. Das Problem erlegte hoher Empfindlichkeit Auswertung der Metalle auf, die im Silikonhauptteil enthalten wurden, ist, zusätzlich zu Zunahme von Empfindlichkeit des Analyse Apparates selbst, wie man die Metalle extrahiert, die in einer Silikonoblate zu einer Oberfläche enthalten wurden und sie zurückgewinnt. Dieses Problem kann durch die Methode der anwesenden Erfindung gelöst werden.

 
Web www.patentalert.com

< Ridge waveguide type photo semiconductor device and method for fabricating same

< Devices and methods for reading and interpreting guaiac-based occult blood tests

> System and method for providing dynamic references between services in a computer system

> Pulse generating circuit

~ 00151