Method of manufacturing a semiconductor device

   
   

Upon formation of semiconductor micro patterns, an interlayer alignment error occurs due to asymmetry of each alignment mark. Prior to alignment of a mask with a wafer, the asymmetry of each alignment mark is measured according to the principle of a scatterometry, and the alignment is performed in consideration of the result of measurement to execute exposure. Thus, high-accuracy alignment can be carried out without sacrificing throughput, and the performance of a semiconductor device is improved. Further, manufacturing yields can be enhanced and a reduction in cost can be realized.

Sur la formation des modèles micro de semi-conducteur, une erreur d'alignement de couche intercalaire se produit en raison de l'asymétrie de chaque repère d'alignement. Avant l'alignement d'un masque avec une gaufrette, l'asymétrie de chaque repère d'alignement est mesurée selon le principe d'un scatterometry, et l'alignement est effectué dans la considération du résultat de la mesure pour exécuter l'exposition. Ainsi, l'alignement de grande précision peut être effectué sans sacrifier la sortie, et l'exécution d'un dispositif de semi-conducteur est améliorée. De plus, des rendements de fabrication peuvent être augmentés et une réduction en coût peut être réalisée.

 
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