It is an object of the present invention to provide a composite material
having low thermal expansivity, high thermal conductivity, and good
plastic workability, which is applied to semiconductor devices and many
other uses.
The composite material is composed of metal and inorganic particles having
a smaller coefficient of thermal expansion than said metal. It is
characterized in that said inorganic particles disperse in such a way that
95% or more of them (in terms of their area in cross-section) form
aggregates of complex configuration joining together.
The composite material contains 20-80 vol % of copper oxide, with the
remainder being copper. It has a coefficient of thermal expansion of
5.times.10.sup.-6 to 14.times.10.sup.-6 /.degree. C. and thermal
conductivity of 30-325 W/m.multidot.K in the range of room temperature to
300.degree. C. It is suitable for the radiator plate of semiconductor
devices and the dielectric plate of electrostatic attractors.
C'est un objet de la présente invention pour fournir une matière composite ayant le bas expansivity thermique, conductivité thermique élevée, et le bon workability en plastique, qui est appliqué aux dispositifs de semi-conducteur et à beaucoup d'autre emploie. La matière composite se compose de métal et de particules inorganiques ayant un plus petit coefficient de dilatation thermique que le métal . On le caractérise du fait lesdites particules inorganiques dispersent de telle manière que 95% ou plus d'eux (en termes de leur secteur dans la section transversale) des agrégats de forme de configuration complexe se joignant ensemble. La matière composite contient 20-80 vol. % de l'oxyde de cuivre, avec le reste étant cuivre. Elle a un coefficient de dilatation thermique de 5.times.10.sup.-6 à 14.times.10.sup.-6 /.degree. C. et conductivité thermique de 30-325 W/m.multidot.K dans la gamme de la température ambiante à 300.degree. C. Il convient au plat de radiateur des dispositifs de semi-conducteur et au plat diélectrique des attractors électrostatiques.
