Plasma etching or deposition is performed over substrates using spatially
localized micro-plasmas operating in parallel with each other. A plasma
generating electrode is positioned closely adjacent to an exposed surface
of the substrate, as on the surface of a dielectric layer applied to the
substrate. A selected pressure of the gas in the region of the electrode
and the substrate is established, and a voltage is applied between the
plasma generating electrode and the substrate or a second electrode to
ignite a plasma in the region between the plasma generating electrode and
the substrate for a selected period of time. This plasma is limited to the
region of the plasma generating electrode adjacent to the exposed surface
so that the substrate is plasma treated in a desired pattern.
Plasmaradierung oder -absetzung wird über Substraten mit den räumlich beschränkten Mikro-Plasmenn durchgeführt, die parallel zu einander funktionieren. Ein Plasma, das Elektrode erzeugt, wird nah neben einer herausgestellten Oberfläche des Substrates in Position gebracht, wie auf die Oberfläche einer dielektrischen Schicht, die am Substrat angewendet wird. Ein vorgewählter Druck des Gases in der Region der Elektrode und des Substrates wird hergestellt, und eine Spannung wird zwischen dem Plasma angewendet, das Elektrode und das Substrat oder eine zweite Elektrode erzeugt, um ein Plasma in der Region zwischen dem Plasma anzuzünden, das Elektrode und das Substrat während eines vorgewählten Zeitabschnitts erzeugt. Dieses Plasma wird auf die Region des Plasmas begrenzt, das Elektrode neben der herausgestellten Oberfläche erzeugt, damit das Substrat das Plasma ist, das in einem gewünschten Muster behandelt wird.
