Deposition of tungsten films

   
   

A method of forming a composite tungsten film on a substrate is described. The composite tungsten film comprises sequentially deposited tungsten nucleation layers and tungsten bulk layers. Each of the tungsten nucleation layers and the tungsten bulk layers have a thickness less than about 300 .ANG.. The tungsten nucleation layers and the tungsten bulk layers are formed one over the other until a desired thickness for the composite tungsten film is achieved. The resulting composite tungsten film exhibits good film morphology. The tungsten nucleation layers may be formed using a cyclical deposition process by alternately adsorbing a tungsten-containing precursor and a reducing gas on the substrate. The tungsten bulk layers may be formed using a chemical vapor deposition (CVD) process by thermally decomposing a tungsten-containing precursor.

Une méthode de former un film composé de tungstène sur un substrat est décrite. Le film composé de tungstène comporte des couches séquentiellement déposées de nucléation de tungstène et des couches en bloc de tungstène. Chacune des couches de nucléation de tungstène et les couches en vrac de tungstène a un ANG. environ 300 d'épaisseur moins que. Les couches de nucléation de tungstène et les couches en vrac de tungstène sont formées un excédent l'autre jusqu'à ce qu'une épaisseur désirée pour le film composé de tungstène soit réalisée. Le film composé résultant de tungstène montre la bonne morphologie de film. Les couches de nucléation de tungstène peuvent être formées en utilisant un procédé cyclique de dépôt en adsorbant alternativement un précurseur tungstène-contenant et un gaz réducteur sur le substrat. Les couches en vrac de tungstène peuvent être formées en utilisant un procédé de la déposition en phase vapeur (CVD) en décomposant thermiquement un précurseur tungstène-contenant.

 
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< Method of forming an array substrate for an in-plane switching liquid crystal display device having an alignment film formed directly on a thin film transistor

< Method and apparatus for etching and deposition using micro-plasmas

> Method of reducing an electrostatic charge on a substrate during a PECVD process

> Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode

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