A semiconductor device has a diffusion barrier formed between a doped glass
layer and surface structures formed on a substrate. The diffusion barrier
includes alumina and optionally a nitride, and has a layer thickness
satisfying the high aspect ratio of the gaps between the surface
structures, while adequately preventing dopants in doped glass layer from
diffusing out of the doped glass layer to the surface structures and the
substrate. Further, heavy water can be used during the formation of the
alumina so that deuterium may be accomplished near the interface of
surface structures and the substrate to enhance the performance of the
device.
Прибора на полупроводниках имеет барьер диффузии сформированный между данным допинг стеклянным слоем и структурами поверхности сформированными на субстрате. Барьер диффузии вклюает глинозем и опционно нитрид, и имеет толщину слоя удовлетворять высокий коэффициент сжатия зазоров между поверхностными структурами, пока подходящ предотвращающ dopants в данном допинг стеклянном слое от отражать из данного допинг стеклянного слоя к поверхностным структурам и субстрату. Более потом, тяжелаяа вода можно использовать во время образования глинозема так, что дейтерий будет мочь быть выполнен почти поверхность стыка поверхностных структур и субстрата для того чтобы увеличить представление приспособления.
