Edge termination in a trench-gate MOSFET

   
   

To avoid premature breakdown at the edge of the active area of RESURF trench-gate MOS device, an edge field plate (24) can be placed with a connection to the gate and a second spaced field plate (24) in the same trench (12). The gate trench network (12) could be either formed by hexagon unit cells or by square unit cells. Since the RESURF condition requires a small cell pitch, self-aligned processing could be used.

Per evitare la ripartizione prematura al bordo della zona attiva del dispositivo del MOS del trincea-cancello di RESURF, una piastra del giacimento del bordo (24) può essere disposta con un collegamento al cancello e ad una seconda piastra spaziata del campo (24) nella stessa trincea (12). La rete della trincea del cancello (12) ha potuto essere costituita dalle cellule dell'unità di esagono o dalle cellule quadrate dell'unità. Poiché lo stato di RESURF richiede un piccolo passo delle cellule, l'elaborazione auto-allineata potrebbe essere usata.

 
Web www.patentalert.com

< Dopant barrier for doped glass in memory devices

< Nonvolatile semiconductor memory device

> High voltage lateral DMOS transistor having low on-resistance and high breakdown voltage

> Heat removal in SOI devices using a buried oxide layer/conductive layer combination

~ 00151