A semiconductor device includes a plurality of photoelectric conversion
photodiodes provided on a silicon substrate, and a refractive index
matching film provided on each of the photodiodes. The refractive index
matching film is composed of an insulating compound layer represented by
SiO.sub.x N.sub.y (0.ltoreq.x and y) assuming that the molar ratio of
silicon, oxygen and nitrogen of the compound layer is 1:x:y. The oxygen
content of the compound layer is the lowest at the silicon interface with
each photodiode and the highest in an upper portion of the compound layer,
and the nitrogen content is the highest at the silicon interface with each
photodiode and the lowest in the upper portion of the compound layer.
Therefore, multiple reflection can be decreased to improve light receiving
sensitivity, as compared with a case in which a SiN single layer and a
SiO.sub.2 single layer are laminated.
Un dispositivo de semiconductor incluye una pluralidad de fotodiodos fotoeléctricos de la conversión proporcionados en un substrato del silicio, y una película que empareja del índice de refracción proporcionada en cada uno de los fotodiodos. La película que empareja del índice de refracción se compone de una capa compuesta aislador representada por SiO.sub.x N.sub.y (0.ltoreq.x y y) si se asume que el cociente molar del silicio, del oxígeno y del nitrógeno de la capa compuesta es 1:x:y. El contenido en oxígeno de la capa compuesta es el más bajo en el interfaz del silicio con cada fotodiodo y el más alto de una porción superior de la capa compuesta, y el contenido del nitrógeno es el más alto en el interfaz del silicio con cada fotodiodo y el más bajo de la porción superior de la capa compuesta. Por lo tanto, la reflexión múltiple se puede disminuir para mejorar sensibilidad de recepción ligera, con respecto a un caso en el cual se laminen una sola capa del pecado y una sola capa SiO.sub.2.
