A selective and parallel growth method of carbon nanotube for
electronic-spintronic device applications which directly grows a carbon
nanotube on a wanted position toward a horizontal direction comprises the
steps of: forming an insulating film on a board; forming fine patterns of
catalyst metal layer including a contact electrode pad on the insulating
film, forming a growth barrier layer for preventing vertical growth on
upper part of the catalyst metal layer; and directly growing the carbon
nanotube between the catalyst patterns.
Μια εκλεκτική και παράλληλη μέθοδος αύξησης άνθρακα nanotube για τις ηλεκτρονικός- spintronic εφαρμογές συσκευών που αυξάνεται άμεσα έναν άνθρακα nanotube σε μια επιθυμητή θέση προς μια οριζόντια κατεύθυνση περιλαμβάνει τα βήματα: διαμόρφωση μιας μονώνοντας ταινίας σε έναν πίνακα διαμορφώνοντας τα λεπτά σχέδια του στρώματος μετάλλων καταλυτών συμπεριλαμβανομένου ενός μαξιλαριού ηλεκτροδίων επαφών στη μονώνοντας ταινία, που διαμορφώνουν ένα στρώμα εμποδίων αύξησης για την παρεμπόδιση της κάθετης αύξησης στο ανώτερο μέρος του στρώματος μετάλλων καταλυτών και άμεσα αυξανόμενος τον άνθρακα nanotube μεταξύ των σχεδίων καταλυτών.
