Methods for cleaning semiconductor surfaces

   
   

The invention encompasses methods for cleaning surfaces of wafers or other semiconductor articles. Oxidizing is performed using an oxidation solution which is wetted onto the surface. The oxidation solution can include one or more of: water, ozone, hydrogen chloride, sulfuric acid, or hydrogen peroxide. A rinsing step removes the oxidation solution and inhibits further activity. The rinsed surface is thereafter preferably subjected to a drying step. The surface is exposed to an oxide removal vapor to remove semiconductor oxide therefrom. The oxide removal vapor can include one or more of: acids, such as a hydrogen halide, for example hydrogen fluoride or hydrogen chloride; water; isopropyl alcohol; or ozone. The processes can use centrifugal processing and spraying actions.

L'invention entoure des méthodes pour nettoyer des surfaces des gaufrettes ou d'autres articles de semi-conducteur. L'oxydation est exécutée en utilisant une solution d'oxydation qui est mouillée sur la surface. La solution d'oxydation peut inclure un ou plusieurs de : l'eau, l'ozone, chlorure d'hydrogène, acide sulfurique, ou peroxyde d'hydrogène. Une étape de rinicage enlève la solution d'oxydation et empêche davantage d'activité. La surface rincée ensuite est de préférence soumise à une étape de séchage. La surface est exposée à une vapeur de déplacement d'oxyde pour éliminer l'oxyde de semi-conducteur de là. La vapeur de déplacement d'oxyde peut inclure un ou plusieurs de : acides, tels qu'un halogénure d'hydrogène, par exemple fluorure d'hydrogène ou chlorure d'hydrogène ; l'eau ; alcool de isopropyle ; ou l'ozone. Les processus peuvent employer le traitement de centrifugeur et les actions de pulvérisation.

 
Web www.patentalert.com

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