A solid-state, two-dimensional image sensing device having a matrix of
pixels each of which employs a photosensor that generates a photocurrent
and a MOS circuit which outputs a signal proportional to the logarithm of
the integral over time of the photocurrent. The sensor includes an
integration control switching device so that all pixels in the array have
equal integration time. The sensor integrates the signal for each pixel
for a period of time and stores the integrated signal in a pixel signal
storage location. The sensor further accumulates signal in a MOS
transistor pn-junction during a time that the integrated pixel signal is
being read out so image information can be collected continuously even
while the integrated pixel signal for each pixel is being read.
Un dispositivo de detección de estado sólido, de dos dimensiones de la imagen que tiene una matriz de los pixeles cada uno de los cuales emplea un fotosensor que genere un photocurrent y un circuito del MOS que hace salir una señal proporcional al logaritmo del integral en un cierto plazo del photocurrent. El sensor incluye un dispositivo de la conmutación del control de la integración de modo que todos los pixeles en el arsenal tengan tiempo de integración igual. El sensor integra la señal para cada pixel por un período del tiempo y almacena la señal integrada en una localización del almacenaje de la señal del pixel. El sensor más futuro acumula la señal en una pn-ensambladura del transistor del MOS durante una época que la señal integrada del pixel se está leyendo hacia fuera así que la información de la imagen puede ser continuamente uniforme recogido mientras que la señal integrada del pixel para cada pixel se está leyendo.
