A semiconductor memory device comprises a silicon layer having a first
diffused region and a second diffused region formed therein, a gate
electrode formed through an insulating film on one side of the silicon
layer between the first and the second diffused regions, a capacitor
formed on said one side of the silicon layer and having a storage
electrode connected to the first diffused region, and a bit line formed on
the other side of the silicon layer and connected to the second diffused
region, whereby a semiconductor memory device of SOI structure can be
easily fabricated. The bit line connected to the second diffused region is
formed on the other side of the semiconductor layer, whereby the bit line
can be arranged without restriction by the structure, etc. of the
capacitor. Short circuit between the capacitor and the bit line can be
prevented.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung enthält eine Silikonschicht, die eine erste zerstreute Region und eine zweite zerstreute Region darin gebildet werden, eine Gate-Elektrode gebildet wird durch einen isolierenden Film auf einer Seite der Silikonschicht zwischen der ersten und den zweiten zerstreuten Regionen, einem Kondensator gebildet werden auf besagter Seite der Silikonschicht hat und eine Speicherelektrode hat, die an die erste zerstreute Region angeschlossen wird, und einer Spitze Linie, die auf der anderen Seite der Silikonschicht gebildet wird und an die zweite zerstreute Region angeschlossen ist, hingegen eine Halbleiterspeichervorrichtung der SOI Struktur leicht fabriziert werden kann. Die Spitze Linie schloß an die zweite zerstreute Region wird gebildet auf der anderen Seite der Halbleiterschicht, hingegen die Spitze Linie ohne Beschränkung durch die Struktur geordnet werden kann, des etc. des Kondensators an. Kurzschluß zwischen dem Kondensator und der Spitze Linie kann verhindert werden.
