A method to realize low-profile semiconductor devices by grinding a resin
sealed block and realize level grinding by eliminating warpage of the
resin sealed block. Semiconductor devices 10 are produced by step (B) in
which multiple semiconductor chips 11 are mounted face down onto the
surface of substrate 12, step (C) in which molding resin 13 is injected
onto substrate 12 in order to form resin sealed block 18 in which multiple
semiconductor chips 11 are sealed, step (E) in which resin sealed block 18
is cut halfway from the side of substrate 12, and step (F) in which resin
sealed block 18 is ground from the side of molding resin 13 in order to
separate it into individual semiconductor devices 10.
Метод для того чтобы осуществить low-profile прибора на полупроводниках путем молоть смолаа загерметизировал блок и осуществляет вровень молоть путем исключать коробоватость блока загерметизированного смолаой. Прибора на полупроводниках 10 произведены шагом (B) в множественные обломоки 11 полупроводника будут установленной стороной вниз на поверхность субстрата 12, шаг (C) в котором смолаа 13 прессформы впрыснута на субстрат 12 для того чтобы сформировать блок загерметизированный смолаой 18 в котором загерметизированы множественные обломоки 11 полупроводника, шаг (E) в котором смолаа загерметизированный блок 18 отрезана halfway от стороны субстрата 12, и шаг (F) в котором смолаа загерметизированный блок 18 смолота от стороны смолаы 13 прессформы для того чтобы отделить ее в индивидуальные прибора на полупроводниках 10.
