The present invention comprises the steps of forming a bump metal film as a
pattern having an opening portion on an area of a seed metal film that
corresponds to a connecting pad of a semiconductor substrate, forming a
through hole by etching the seed metal film, the connecting pad, and the
semiconductor substrate located under the opening portion of the bump
metal film while using the bump metal film as a mask, grinding a back
surface of the semiconductor substrate, forming an insulating film on a
side surface of the through hole, forming a through wiring in the through
hole by an electroplating, and forming a metal bump by etching the seed
metal film.
A invenção atual compreende as etapas de dar forma a uma película do metal da colisão como um teste padrão que tem uma parcela da abertura em uma área de uma película do metal da semente que corresponda a uma almofada conectando de uma carcaça do semicondutor, dando forma a a através do furo gravando a película do metal da semente, à almofada conectando, e à carcaça do semicondutor situada sob a parcela da abertura da película do metal da colisão ao usar a película do metal da colisão como uma máscara, moendo uma superfície traseira da carcaça do semicondutor, dando forma a uma película isolando em uma superfície lateral do furo direto, dando forma a a com wiring no furo direto electroplating, e dar forma a uma colisão do metal gravando a semente película do metal.
