Circuit substrate device, method for producing the same, semiconductor device and method for producing the same

   
   

A circuit substrate device composed of a circuit unit 2 and a multi-layer wiring substrate 3 in which a pattern conductor of the circuit unit 2 may be prevented from being warped or inundated. The circuit substrate device includes a circuit unit 2 having a pattern conductor formed by a thin film technique, and an insulating layer, and a multi-layer wiring substrate 3 having a connecting terminal portion 14 exposed from its major surface. The circuit unit is formed on a dummy substrate. The circuit unit is connected to the multi-layer wiring substrate 3 so that the pattern conductor is connected to the connecting terminal portion 14. The dummy substrate is then removed to give a structure comprised of the circuit unit 2 formed on the multi-layer wiring substrate 3. The pattern conductor of the circuit unit 2 is freed of warping or inundations along the direction of thickness of the circuit unit 2.

Μια συσκευή υποστρωμάτων κυκλωμάτων που αποτελείται από μια μονάδα 2 κυκλωμάτων και ένα πολυστρωματικό υπόστρωμα 3 καλωδίωσης στις οποίες ένας αγωγός σχεδίων της μονάδας 2 κυκλωμάτων μπορεί να αποτραπεί από τη στρέβλωση ή κατακλυσμός. Η συσκευή υποστρωμάτων κυκλωμάτων περιλαμβάνει μια μονάδα 2 κυκλωμάτων που έχουν έναν αγωγό σχεδίων διαμορφωμένο από μια τεχνική λεπτών ταινιών, και ένα στρώμα μόνωσης, και ένα πολυστρωματικό υπόστρωμα 3 καλωδίωσης που έχει μια συνδέοντας τελική μερίδα 14 εκτεθειμένη από τη σημαντική επιφάνειά της. Η μονάδα κυκλωμάτων διαμορφώνεται σε ένα πλαστό υπόστρωμα. Η μονάδα κυκλωμάτων συνδέεται με το πολυστρωματικό υπόστρωμα 3 καλωδίωσης έτσι ώστε ο αγωγός σχεδίων συνδέεται με τη συνδέοντας τελική μερίδα 14. Το πλαστό υπόστρωμα αφαιρείται έπειτα για να δώσει μια δομή που αποτελείται από τη μονάδα 2 κυκλωμάτων που διαμορφώνεται στο πολυστρωματικό υπόστρωμα 3 καλωδίωσης. Ο αγωγός σχεδίων της μονάδας 2 κυκλωμάτων ελευθερώνεται της στρέβλωσης ή των κατακλυσμών κατά μήκος της κατεύθυνσης του πάχους της μονάδας 2 κυκλωμάτων.

 
Web www.patentalert.com

< Manufacturing method of semiconductor device

< Method of manufacturing a semiconductor apparatus using chemical mechanical polishing

> Semiconductor device having an elastic resin with a low modulus of elasticity

> Interconnects containing first and second porous low-k dielectrics separated by a porous buried etch stop layer

~ 00150