Semiconductor memory device having a latch circuit and storage capacitor

   
   

A semiconductor device includes: a capacitor: an access transistor with impurity regions, controlling input/output of charge stored in the capacitor, one of the impurity regions being electrically connected to the capacitor; a latch circuit located above a silicon substrate, and storing the potential of a storage node of the capacitor; and a bit line connected to the other of the impurity regions of the access transistor T6. At least a portion of the latch circuit is formed above the bit line.

Un dispositivo de semiconductor incluye: un condensador: un transistor con regiones de la impureza, entrada-salida que controla del acceso de la carga almacenada en el condensador, una de las regiones de la impureza que son conectadas eléctricamente con el condensador; un circuito del cierre situado sobre un substrato del silicio, y almacenar el potencial de un nodo del almacenaje del condensador; y una línea del pedacito conectó con la otra de las regiones de la impureza del transistor T6 del acceso. Por lo menos una porción del circuito del cierre se forma sobre la línea del pedacito.

 
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